행사명 | 6회 고효율 저전력 설계를 위한 2024 전력반도체 온라인 기술 세미나 |
일시 | 2024년 6월 24일(월) ~ 2024년 6월 30일(일) |
주최 |
전력반도체는 전원이나 배터리에서 공급되는 전력을 자동차, 조명, 노트북, 스마트폰 등 다양한 시스템에 필요한 전압, 전류 수준으로 변환하고 전체 시스템의 작동 여부를 결정하는 핵심 부품이다. 현재 전력반도체는 전기차와 태양광발전 등 다양하게 적용되고 있다. 특히 4차 산업혁명으로 인해 사물인터넷(IoT), 자율주행, 항공우주, 5G 등에 대한 수요가 크게 증가하고 있다. SiC 전력반도체 소자 시장은 2023년은 전년 대비 51% 증가한 32억 달러로 추정되며, 매년 30%씩 성장할 것으로 예상되고 2029년에는 150억 달러를 넘어설 전망이다. 이에 본 세미나는 최근 각광받고 있는 전력반도체 소자부터 모듈까지 최신 동향을 소개한다.
VOD 재생
재생시간 28분 27초
전력반도체 모듈PKG 기술동향
VOD 재생
재생시간 33분 04초
SiC 전력반도체 기술 개발 동향 및 시장 현황
VOD 재생
재생시간 4분 21초
Power the Future with ROHM’s SiC Power Devices
전 세계적으로 지속 가능한 사회의 실현을 위한 활동이 가속화되는 가운데, 기업에 있어서도 환경이나 건강 등 다양한 사회 과제의 해결로 이어지는 활동이 중요시되고 있습니다. 특히 최근 과제로 대두되고 있는 탈탄소 사회의 실현을 위해, 로옴의 주력 제품인 반도체는 전 세계 전력 소비량의 대부분을 차지하는 모터나 전원의 효율 개선에서 큰 역할을 하고 있습니다. 세계를 리드하는 SiC를 중심으로 GaN 등 신세대 파워 반도체와 더불어 디바이스의 성능을 최대화시키는 제어 IC 및 파워 다이오드, 션트 저항기 등의 주변 디바이스도 구비하여, 파워와 아날로그 기술의 상승 효과를 통해 가치 있는 솔루션을 제공합니다.
VOD 재생
재생시간 31분 27초
GaN이 고밀도 전력변환을 구현하는 방법
VOD 재생
재생시간 24분 27초
GaN 전력반도체 기술과 시장 동향
VOD 재생
재생시간 55초
DL-ISO Probe for GaN MOSFETs and SiC IGBTs
본 영상에서는 GaN(Galium-Nitride) FET/MOSFET 및 SiC(Silicon-Carbide) IGBT 및 기타 광대역 갭(WBG) 전력 반도체 장치에 이상적인 1GHz 고전압(HV) 광절연 DL-ISO 프로브를 소개합니다. 이 프로브는 공통 모드 거부율이 높아 밀러 효과 보기를 포함한 하이 사이드 플로팅 게이트 드라이브 측정에 이상적입니다.
VOD 재생
재생시간 31분 20초
산화갈륨 전력반도체 연구개발 동향 및 향후 전망